第三百八十四章 MOCVD

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　　第三百八十四章

　　目前，发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN这两种。

　　在燕大的半导体研究中心这，主要研究的宽禁带半导体对象是GaN。

　　在GaN基宽禁带半导体领域，该研究中心一直处于国内领先地位。

　　注册拥有的和GaN宽禁带半导体有关的发明专利，多达二十多个。

　　包括GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法，铟镓氮单晶薄膜MOCVD外延生长技术等等。

　　第三代宽禁带半导体拥有良好的物理化学性能，可应用在诸多的领域。

　　而现在，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。

　　各个领域产业成熟度各不相同。

　　但在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

　　目前市面上主流的半导体，还是以第一代半导体和第二代半导体为主。

　　其原因嘛……

　　当然是第三代宽禁带半导体还有很多技术难题没有攻克。

　　燕大的半导体研究所正在进行的工作，就是全力攻克这些难题，早日实现第三代半导体技术的彻底成熟，应用于市场。

　　…………

　　宽禁带半导体实验室，顾律三人穿着深棕色的实验服，在张主任的带领下走进去。

　　实验室的面积很大。

　　将近有半个篮球场的大小。

　　一眼望去，可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。

　　“主任好。”

　　“主任好。”

　　几位年轻的研究员助理见到张主任进来，客气的打招呼。

　　张主任点点头，然后摆摆手，“你们接着忙，接着忙。”

　　“我们先去MOCVD那边吧。”张主任压低声音，询问顾律。

　　顾律点头一笑。

　　张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。

　　“这个就是我们实验室的MOCVD了！”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。

　　顾律上下打量了这台设备一番。

　　所谓的MOCVD，是在气相外延生长的基础上发展起

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